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Rôle du silicium sur la tolérance au cuivre et la croissance des Bambous

Collin B.. 2011. Aix-en-Provence : Université Paul Cézanne, 184 p.. Thèse de doctorat -- Géosciences de l'environnement.

Cette étude vise à évaluer le rôle du silicium (Si) sur l'amélioration de la croissance et de la tolérance au cuivre (Cu) du bambou, plante utilisée en phytoremédiation. Plusieurs approches ont été choisies. Dans un premier temps, la répartition et la variabilité de Cu et Si ont été étudiées dans plusieurs espèces de bambous se développant dans un contexte pédoclimatique naturel afin d'établir des concentrations de référence pour ces éléments. Des cultures hydroponiques ont ensuite permis de caractériser de manière macroscopique la réponse des bambous à des apports de Si et Cu, et, parallèlement, d'étudier la spéciation de Cu et la localisation de Si et Cu au sein des différents organes du bambou (racines, tiges, feuilles). Les concentrations en Si et Cu présentent des différences significatives entre les principaux types de bambous, suggérant l'importance d'un caractère génotypique responsable de l'absorption de ces éléments. Face à une toxicité au cuivre, un apport de Si modifie la spéciation de Cu dans les tissus du bambou, sans toutefois améliorer significativement sa tolérance. Il apparaît que la stratégie principale du bambou pour gérer de fortes concentrations de Cu est tout d'abord une importante séquestration dans les racines, puis une complexation de Cu avec des composés soufrés organiques et inorganiques. Les résultats de cette étude permettront d'optimiser les technologies liées aux capacités épuratives des bambous face à une pollution métallique. (Résumé d'auteur)

Thématique : Physiologie végétale : croissance et développement; Physiologie et biochimie végétales

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